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ST/意法半导体 STW26NM60N 场效应管

发布时间2023-5-9 9:08:00关键词:STW26NM60
摘要

STW26NM60N ST TO-247 24000PCS

STW26NM60NN参数:

服务器电源 设备电源 STW26NM60N

包装 : 管件

系列 : MDmesh™ II

FET类型 : MOSFET N 通道,金属氧化物

FET功能 : 标准

漏源极电压(Vdss) : 600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时) : 20A(Tc)

不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) : 165 毫欧 @ 10A,10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值) : 4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷(Qg) : 60nC @ 10V

不同Vds时的输入电容(Ciss) : 1800pF @ 50V

功率-最大值 : 140W

安装类型 : 通孔

封装/外壳 : TO-247-3

供应商器件封装 : TO-247-3